Нахождение основных состояний реальных ионных и электронных структур является на сегодняшний день актуальной задачей, т.к. определенное с высокой степенью точности основное состояние является первым шагом для описания сложных поверхностных явлений (алмазные пленки, полупроводниковые устройства). В данном препринте основное внимание уделено изложению основ адаптированного метода Кара-Парринелло, наиболее универсального молекулярнодинамического метода, описывающего релаксацию реальных молекулярных структур, и приведен пример его применения авторами в простом модельном случае.
Язык публикации: русский
Направление исследований:
Математическое моделирование в актуальных проблемах науки и техники
