Головная страница ИПМ Библиотеки, издания  •  Поиск публикаций  English 
Публикация

Препринт ИПМ № 21, Москва, 2021 г.
Авторы: Фрейнкман Б.Г., Поляков С.В., Толстов И.О.
Расчет основного состояния электрона в неоднородном поле экранированного иона углерода
Аннотация:
Данное исследование связано с разработкой математических методов и численных алгоритмов для моделирования локального квантового состояния поверхности графена в масштабах шага решетки. Ранее для решения этой задачи была предложена модель структуры графена в виде решетки водородоподобных атомов с экранированными ионами. Однако экранирующее поле было однородным. В данной работе предполагается, что экранирующее поле иона неоднородно по радиусу. Основным направлением исследований были расчеты энергии основного состояния электрона в неоднородном поле.
Ключевые слова:
математическое моделирование, решетка графена, водородоподобный атом, основное состояние атома, самосогласованное решение уравнения Шредингера
Язык публикации: русский,  страниц: 12
Направление исследований:
Математическое моделирование в актуальных проблемах науки и техники
Полный текст на русском языке:
Статистика просмотров (обновляется раз в сутки):
за последние 30 дней — 9 (+9), всего с 08.04.2021 — 9
Сведения об авторах:
  • Фрейнкман Борис Григорьевич,  orcid.org/0000-0002-8402-0441,  ИПМ им. М.В. Келдыша РАН
  • Поляков Сергей Владимирович,  orcid.org/0000-0003-1859-9034,  ИПМ им. М.В. Келдыша РАН
  • Толстов Илья Олегович,  orcid.org/0000-0002-7911-1023,  ИПМ им. М.В. Келдыша РАН