Расчет основного состояния электрона в неоднородном поле экранированного иона углерода

Фрейнкман Б.Г.; Поляков С.В.; Толстов И.О.

Аннотация:

Данное исследование связано с разработкой математических методов и численных алгоритмов для моделирования локального квантового состояния поверхности графена в масштабах шага решетки. Ранее для решения этой задачи была предложена модель структуры графена в виде решетки водородоподобных атомов с экранированными ионами. Однако экранирующее поле было однородным. В данной работе предполагается, что экранирующее поле иона неоднородно по радиусу. Основным направлением исследований были расчеты энергии основного состояния электрона в неоднородном поле.

Ключевые слова:

математическое моделирование, решетка графена, водородоподобный атом, основное состояние атома, самосогласованное решение уравнения Шредингера

Язык публикации: русский, страниц: 12

Направление исследований:

Математическое моделирование в актуальных проблемах науки и техники

Полный текст на русском языке:

Список цитирующих публикаций:

Экспорт ссылки на публикацию в формате:

Статистика просмотров (обновляется раз в сутки):
за последние 30 дней — 7 (+3), всего с 08.04.2021 — 187

Сведения об авторах:

Фрейнкман Борис Григорьевич, , ,

Поляков Сергей Владимирович, , ,

Толстов Илья Олегович, , ,

	Библиотеки, издания • Поиск публикаций	English
	Публикация