Головная страница ИПМ Библиотеки, издания  •  Поиск публикаций  English 
Публикация

Препринт ИПМ № 99, Москва, 2018 г.
Авторы: Волков Ю. А., Иноземцева К.К., Марков М. Б., Тараканов И. А.
Математическая модель радиационного нагрева изделий микроэлектроники
Аннотация:
Рассмотрен радиационный нагрев полупроводникового кристалла. Построена модель передачи энергии кристаллу избыточными носителями заряда, образующимися при рассеянии ионизирующего излучения. Вычислено распределение энергии, теряемой падающим излучением в кристалле, между электронами проводимости и фононами кристаллической решетки.
Ключевые слова:
ионизирующее излучение, носитель заряда, фонон
Язык публикации: русский,  страниц: 12
Направление исследований:
Математическое моделирование в актуальных проблемах науки и техники
Полный текст на русском языке:
Экспорт ссылки на публикацию в формате:   RIS    BibTeX
Статистика просмотров (обновляется раз в сутки):
за последние 30 дней — 12 (+5), всего с 01.09.2019 — 195
Сведения об авторах:
  • Волков Юрий Александрович,  orcid.org/0000-0002-6918-2397ИПМ им. М.В. Келдыша РАН
  • Иноземцева Ксения Константиновна,  ИПМ им. М.В. Келдыша РАН
  • Марков Михаил Борисович,  orcid.org/0000-0002-3428-9688ИПМ им. М.В. Келдыша РАН
  • Тараканов Илья Алексеевич,  orcid.org/0000-0002-9658-3479ИПМ им. М.В. Келдыша РАН