Математическая модель радиационного нагрева изделий микроэлектроники

Волков Ю. А.; Иноземцева К.К.; Марков М. Б.; Тараканов И. А.

Аннотация:

Рассмотрен радиационный нагрев полупроводникового кристалла. Построена модель передачи энергии кристаллу избыточными носителями заряда, образующимися при рассеянии ионизирующего излучения. Вычислено распределение энергии, теряемой падающим излучением в кристалле, между электронами проводимости и фононами кристаллической решетки.

Ключевые слова:

ионизирующее излучение, носитель заряда, фонон

Язык публикации: русский, страниц: 12

Направление исследований:

Математическое моделирование в актуальных проблемах науки и техники

Полный текст на русском языке:

Список цитирующих публикаций:

Экспорт ссылки на публикацию в формате:

Статистика просмотров (обновляется раз в сутки):
за последние 30 дней — 7 (+1), всего с 01.09.2019 — 318

Сведения об авторах:

Волков Юрий Александрович, , ,

Иноземцева Ксения Константиновна, ,

Марков Михаил Борисович, , ,

Тараканов Илья Алексеевич, , ,

	Библиотеки, издания • Поиск публикаций	English
	Публикация