Рассмотрено воздействие ионизирующего излучения на изделие микроэлектроники. Распространение тепла и механических напряжений представлено как единый процесс переноса фононов кристаллической решетки, электронов проводимости и дырок валентной зоны. Сформулирована связанная модель, основанная на уравнениях термоупругости. Переноса тепла описан законом сохранения энергии и уравнением Каттанео – следствием кинетического уравнения для фононов. Колебания решетки рассмотрены в приближении линейной теории упругости. Разработаны разностные схемы для решения уравнений модели.

ионизирующее излучение, термомеханический эффект, математическая модель

Математическое моделирование в актуальных проблемах науки и техники

Волков Юрий Александрович,  ,  orcid.org/0000-0002-6918-2397,  ИПМ им. М.В. Келдыша РАН

Иноземцева Ксения Константиновна,  ,  ИПМ им. М.В. Келдыша РАН

Марков Михаил Борисович,  ,  orcid.org/0000-0002-3428-9688,  ИПМ им. М.В. Келдыша РАН

Тараканов Илья Алексеевич,  ,  orcid.org/0000-0002-9658-3479,  ИПМ им. М.В. Келдыша РАН