Стохастические кинетические модели и алгоритмы в задачах оптимизации нанесения тонких пленок карбида кремния
Аннотация:
В данной работе приводятся примеры численного моделирования образования порошков карбида кремния в плазме разряда и на поверхности субстрата Si(100). Анализируется создание условий для твердофазной эпитаксии пленок карбида кремния на кремниевом субстрате. Результаты могут быть использованы для оптимизации процесса создания покрытий с заданными свойствами, для контроля однородности и скорости нанесения и однородности тонкой пленки.
Язык публикации: русский, страниц:13
Направление исследований:
Математическое моделирование в актуальных проблемах науки и техники
